RZF030P01TL

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Especificaciones

Número de pieza

RZF030P01TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RZF030P01TL.pdf
2.RZF030P01TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RZF030P01TLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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Envío
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Los siguientes son productos relacionados con "RZF030P01TL".

RZF013P01TL

Descripción: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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