RZF013P01TL

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Especificaciones

Número de pieza

RZF013P01TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RZF013P01TL.pdf
2.RZF013P01TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

800mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RZF013P01TLDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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2N7639-GA

Descripción: TRANS SJT 650V 15A TO-257

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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