RUM002N02T2L

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Especificaciones

Número de pieza

RUM002N02T2L
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RUM002N02T2L.pdf
2.RUM002N02T2L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

VMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-723
Otros nombres

RUM002N02T2L-ND
RUM002N02T2LTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 74A TO-268

Fabricantes: IXYS Corporation

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