International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC028N06NSTATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC028N06NSTATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIFFERENTIATED MOSFETS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

RoHS
Especificaciones

BSC028N06NSTATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.3V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Estado RoHS

RoHS Compliant
RDS (Max) @Id, Vgs

2.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 100W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC028N06NSTATMA1-ND
BSC028N06NSTATMA1TR
SP001666498
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3375pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Ta), 100A (Tc)

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BSC025N03MSGATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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