RU1J002YNTCL

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Especificaciones

Número de pieza

RU1J002YNTCL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RU1J002YNTCL.pdf
2.RU1J002YNTCL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

UMT3F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-85
Otros nombres

RU1J002YNTCLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RU1J002YNTCL".

RU1608JR047CS

Descripción: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

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