RSD140P06TL

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Especificaciones

Número de pieza

RSD140P06TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RSD140P06TL.pdf
2.RSD140P06TL.pdf
3.RSD140P06TL.pdf
4.RSD140P06TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CPT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

84 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)

20W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

RSD140P06TL-ND
RSD140P06TLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 14A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RSD140P06TL".

RSD080P05TL

Descripción: MOSFET P-CH 45V 8A CPT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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