RSD080N06TL

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Especificaciones

Número de pieza

RSD080N06TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Descripción

MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RSD080N06TL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CPT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

15W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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ATS-05D-173-C3-R0

Descripción: HEATSINK 30X30X30MM R-TAB T412

Fabricantes: Advanced Thermal Solutions, Inc.

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20/05/2025

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