RRL035P03TR

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Especificaciones

Número de pieza

RRL035P03TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RRL035P03TR.pdf
2.RRL035P03TR.pdf
3.RRL035P03TR.pdf
4.RRL035P03TR.pdf
5.RRL035P03TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

320mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RRL035P03CT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 3.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "RRL035P03TR".

AON6508_101

Descripción: MOSFET N-CH DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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