RRL025P03FRATR

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Especificaciones

Número de pieza

RRL025P03FRATR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción

PCH -30V -2.5A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RRL025P03FRATR.pdf
2.RRL025P03FRATR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT6
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

75 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

RRL025P03FRACT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RRL025P03FRATR".

FQU4P25TU

Descripción: MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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