RQ6E055BNTCR

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3000+

$0.255

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

RQ6E055BNTCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ6E055BNTCR.pdf
2.RQ6E055BNTCR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT6 (SC-95)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

RQ6E055BNTCRTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

355pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "RQ6E055BNTCR".

CSD19538Q3AT

Descripción: MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments

Existencias disponibles

RQ6E055BNTCR

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

¡La fabricación de chips indios sufre contratiempos!Zoho ...

PCIM Europe 2025 Highlights

El negocio OEM de Samsung se ve afectado nuevamente, AMD de...

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

SEMI: P1 Los envíos de obleas de silicio global aumentaron...

Semi: los ingresos del mercado mundial de materiales de sem...

La densidad de defectos del proceso de 2 nm de TSMC alcanza...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Contrapunto: Para 2024, el envío global de sensores de ima...

El chip de 2NM de TSMC se producirá en masa en la segunda ...

Fuerte demanda de chips analógicos, el pronóstico de ingr...

Seleccione el idioma

Idioma actual