RQ3E080GNTB

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Especificaciones

Número de pieza

RQ3E080GNTB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RQ3E080GNTB.pdf
2.RQ3E080GNTB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-HSMT (3.2x3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

16.7 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 15W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

RQ3E080GNTBTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

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RQ3G100GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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