RJ1U330AAFRGTL

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Especificaciones

Número de pieza

RJ1U330AAFRGTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NCH 250V/33A POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RJ1U330AAFRGTL.pdf
2.RJ1U330AAFRGTL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LPTS
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

211W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-83
Otros nombres

RJ1U330AAFRGTLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 33A (Ta) 211W (Tc) Surface Mount LPTS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta)

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Descripción: RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 240V

Fabricantes: IDEC

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