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RHP020N06T100

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Especificaciones

Número de pieza

RHP020N06T100
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RHP020N06T100.pdf
2.RHP020N06T100.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MPT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

RHP020N06T100TR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount MPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "RHP020N06T100".

IXFH50N30Q3

Descripción: MOSFET N-CH 300V 50A TO-247

Fabricantes: IXYS Corporation

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