RFN10NS6SFHTL

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Especificaciones

Número de pieza

RFN10NS6SFHTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RFN10NS6SFHTL.pdf
2.RFN10NS6SFHTL.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.55V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

LPDS
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

50ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

RFN10NS6SFHTLTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 10A Surface Mount LPDS
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

10A
Capacitancia Vr, F

169pF @ 0V, 1MHz

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RFN10T2D

Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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