RE1L002SNTL

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Especificaciones

Número de pieza

RE1L002SNTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RE1L002SNTL.pdf
2.RE1L002SNTL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

EMT3F (SOT-416FL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.4 Ohm @ 250mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

150mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

RE1L002SNTLTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

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RE13-SAC

Descripción: SENSOR REED SW 2NO M8

Fabricantes: SICK

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