RB168VAM150TR

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Especificaciones

Número de pieza

RB168VAM150TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RB168VAM150TR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

890mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

150V
Paquete del dispositivo

TUMD2M
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

2-SMD, Flat Lead
Otros nombres

RB168VAM150CT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 150V 1A Surface Mount TUMD2M
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

-

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RB168VYM-30FHTR

Descripción: SCHOTTKY BARRIER DIODE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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