R5207ANDTL

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Especificaciones

Número de pieza

R5207ANDTL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R5207ANDTL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CPT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1 Ohm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

525V
Descripción detallada

N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "R5207ANDTL".

BSF024N03LT3GXUMA1

Descripción: MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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