QS8J11TCR

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Especificaciones

Número de pieza

QS8J11TCR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

QS8J11TCR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TSMT8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Potencia - Max

550mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

QS8J11TCRCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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