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DTC143ECAHZGT116

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Especificaciones

Número de pieza

DTC143ECAHZGT116
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.DTC143ECAHZGT116.pdf
2.DTC143ECAHZGT116.pdf
Modelo ECAD
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased + Diode
Paquete del dispositivo

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base del emisor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

350mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DTC143ECAHZGT116TR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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