International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7342D2TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7342D2TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7342D2TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

IRF7342D2TRPBFDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

38nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

P-Channel 55V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

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IRF7338TRPBF

Descripción: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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