International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7338PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF7338PBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF7338PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

34 mOhm @ 6A, 4.5V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

*IRF7338PBF
SP001565278
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A, 3A
Número de pieza base

IRF7338PBF

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