International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF1010EL

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Especificaciones

Número de pieza

IRF1010EL
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRF1010EL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-262
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

200W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

*IRF1010EL
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 84A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

84A (Tc)

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Descripción: IRF-3 820 10% RJ4

Fabricantes: Dale / Vishay

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