International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF100P219XKMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IRF100P219XKMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRENCH_MOSFETS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF100P219XKMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 278µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247AC
Serie

StrongIRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

341W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

SP001619552
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12020pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

270nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 341W (Tc) Through Hole TO-247AC

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

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