International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW60R125CFD7XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPW60R125CFD7XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

HIGH POWER_NEW
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPW60R125CFD7XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 390µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO247-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 7.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

92W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

SP001686040
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1503pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 18A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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IPW60R170CFD7XKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V TO247-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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