International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW60R099P6XKSA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPW60R099P6XKSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPW60R099P6XKSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1.21mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO247-3
Serie

CoolMOS™ P6
RDS (Max) @Id, Vgs

99 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

278W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

SP001114658
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

37.9A (Tc)

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IPW60R160P6FKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 600V TO247-3

Fabricantes: Infineon Technologies

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