International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT60R150G7XTMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPT60R150G7XTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPT60R150G7XTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 260µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-HSOF-8
Serie

CoolMOS™ G7
RDS (Max) @Id, Vgs

150 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

106W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

IPT60R150G7XTMA1TR
SP001579346
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

902pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

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IPT1-125-09-L-D

Descripción: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Fabricantes: Samtec, Inc.

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