International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT60R050G7XTMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPT60R050G7XTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPT60R050G7XTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 800µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-HSOF-8
Serie

CoolMOS™ G7
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 15.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

245W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerSFN
Otros nombres

IPT60R050G7XTMA1-ND
IPT60R050G7XTMA1TR
SP001615912
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 44A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

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IPT60R102G7XTMA1

Descripción: MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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