International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R950CFDATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD65R950CFDATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD65R950CFDATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

950 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

36.7W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SP001117750
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 3.9A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Tc)

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IPD65R950CFDBTMA1

Descripción: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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