International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R660CFDAATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD65R660CFDAATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD65R660CFDAATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 214.55µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

660 mOhm @ 3.22A, 10V
La disipación de energía (máximo)

62.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SP000928260
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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