International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R380E6ATMA2

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Especificaciones

Número de pieza

IPD60R380E6ATMA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

No aplicable / No aplicable
Especificaciones

IPD60R380E6ATMA2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 300µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

380 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Not applicable / Not applicable
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.6A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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