International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R2K1CEAUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD60R2K1CEAUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD60R2K1CEAUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 60µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ CE
RDS (Max) @Id, Vgs

2.1 Ohm @ 760mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD60R2K1CEAUMA1-ND
IPD60R2K1CEAUMA1TR
SP001396904
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Tc)

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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