International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD04N03LB G

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Especificaciones

Número de pieza

IPD04N03LB G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD04N03LB G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 70µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.1 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

115W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD04N03LB G-ND
IPD04N03LBGINTR
IPD04N03LBGXT
SP000016409
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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IPD050N03LGBTMA1

Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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