International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD042P03L3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPD042P03L3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPD042P03L3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.2 mOhm @ 70A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

IPD042P03L3GATMA1-ND
IPD042P03L3GATMA1TR
SP001127836
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

175nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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