International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N10S403ATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

IPB120N10S403ATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB120N10S403ATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SP001102598
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10120pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

140nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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IPB120N10S405ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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