International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N06S4H1ATMA2

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Especificaciones

Número de pieza

IPB120N06S4H1ATMA2
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IPB120N06S4H1ATMA2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO263-3-2
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

250W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SP001028782
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

270nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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