1931120

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ165N04NSGATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSZ165N04NSGATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSZ165N04NSGATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 10µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

16.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 25W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSZ165N04NS G
BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1TR
BSZ165N04NSGINTR
BSZ165N04NSGINTR-ND
BSZ165N04NSGXT
SP000391523
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 8.9A (Ta), 31A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.9A (Ta), 31A (Tc)

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BSZ12DN20NS3GATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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