International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ15DC02KDHXTMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSZ15DC02KDHXTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 110µA
Paquete del dispositivo

PG-TSDSON-8-FL
Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSZ15DC02KDHXTMA1-ND
BSZ15DC02KDHXTMA1TR
SP000961028
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

419pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel Complementary
Característica de FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A, 3.2A

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