International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP297 E6327

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Especificaciones

Número de pieza

BSP297 E6327
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

BSP297 E6327.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 400µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

BSP297 E6327-ND
BSP297E6327
BSP297E6327T
SP000011108
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

357pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16.1nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

660mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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