International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP296L6433HTMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSP296L6433HTMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSP296L6433HTMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 400µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

700 mOhm @ 1.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.79W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

BSP296 L6433CT
BSP296 L6433CT-ND
BSP296L6433HTMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

364pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1.1A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.1A (Ta)

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BSP254A,126

Descripción: MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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