International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC080P03LSGAUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC080P03LSGAUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC080P03LSGAUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC080P03LS GCT
BSC080P03LS GCT-ND
BSC080P03LSGAUMA1CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6140pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

122.4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 16A (Ta), 30A (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 30A (Tc)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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