International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC080N03LSGATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC080N03LSGATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC080N03LSGATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 35W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC080N03LSGATMA1CT
BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03LSGINCT
BSC080N03LSGINCT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 14A (Ta), 53A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 53A (Tc)

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BSC077N12NS3GATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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