IXTP4N70X2M

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Especificaciones

Número de pieza

IXTP4N70X2M
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXTP4N70X2M.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220 Isolated Tab
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

850 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

386pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

700V
Descripción detallada

N-Channel 700V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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IXTP4N80P

Descripción: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

Fabricantes: IXYS Corporation

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