IXTA32P05T

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Especificaciones

Número de pieza

IXTA32P05T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTA32P05T.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (IXTA)
Serie

TrenchP™
RDS (Max) @Id, Vgs

39 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1975pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

P-Channel 50V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

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IXTA2N80P

Descripción: MOSFET N-CH 800V 2A TO-263

Fabricantes: IXYS Corporation

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