IXFT170N25X3HV

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Especificaciones

Número de pieza

IXFT170N25X3HV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFT170N25X3HV.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-268HV
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

7.4 mOhm @ 85A, 10V
La disipación de energía (máximo)

960W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

190nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 170A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

170A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFT170N25X3HV".

IXFT150N20T

Descripción: MOSFET N-CH 200V 150A TO-268

Fabricantes: IXYS Corporation

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