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5382161Imagen IXFH60N65X2IXYS Corporation

IXFH60N65X2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXFH60N65X2
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IXFH60N65X2.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    5.5V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    52 mOhm @ 30A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    780W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6180pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    107nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFH60N65X2".
IXFH6N120P

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 60A TO-247

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 60A TO247

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