IXFD80N10Q-8XQ

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Especificaciones

Número de pieza

IXFD80N10Q-8XQ
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Die
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

-
La disipación de energía (máximo)

-
Paquete / Cubierta

Die
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFD80N10Q-8XQ".

IXFC80N10

Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220

Fabricantes: IXYS Corporation

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IXFD80N10Q-8XQ

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