IXFA3N120TRL

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Especificaciones

Número de pieza

IXFA3N120TRL
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFA3N120TRL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

200W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IXFA3N120TRLTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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IXFA38N30X3

Descripción: FET N-CHANNEL

Fabricantes: IXYS Corporation

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