ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32200C1-6TL

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Especificaciones

Número de pieza

IS42S32200C1-6TL
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IS42S32200C1-6TL.pdf
2.IS42S32200C1-6TL.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

86-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

64Mb (2M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.5ns

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IS42S32200C1-6TL-TR

Descripción: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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