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4349018Imagen 70V658S10DRIDT (Integrated Device Technology)

70V658S10DR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    70V658S10DR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    10ns
  • Suministro de voltaje
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    208-BFQFP
  • Otros nombres
    IDT70V658S10DR
    IDT70V658S10DR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Mb (64K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
  • Número de pieza base
    IDT70V658
  • Tiempo de acceso
    10ns
EKMG350ETD471MJ16S

EKMG350ETD471MJ16S

Descripción: CAP ALUM 470UF 20% 35V RADIAL

Fabricantes: Nippon Chemi-Con
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