Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > 70V658S10BC
Petición de oferta en línea
español
5897808Imagen 70V658S10BCIDT (Integrated Device Technology)

70V658S10BC

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
12+
$98.688
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    70V658S10BC
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    10ns
  • Suministro de voltaje
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnología
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    256-LBGA
  • Otros nombres
    IDT70V658S10BC
    IDT70V658S10BC-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Mb (64K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
  • Número de pieza base
    IDT70V658
  • Tiempo de acceso
    10ns
M55342K12B332DRWSV

M55342K12B332DRWSV

Descripción: RES SMD 332 OHM 1% 1/10W 0603

Fabricantes: Dale / Vishay
Existencias disponibles

Review (1)

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir